TRANSISTOR MOS N-CHANNEL SMD
IPB 081N06 L3 N-MOS 60V 50A TO263-3
IPB 081N06 L3 N-MOS 60V 50A TO263-3
CODICE: IPB081N06L3
Prezzi Iva Inclusa
1 PZ
€ 2,8942
3 PZ
€ 2,4162
Scheda Tecnica
Articolo: IPB081N06-L3
Descrizione: Power-Transistor
Polarità: N-channel MOSFET
Tensione Drain-Source: 60V
Collector Corrente: 50A
RDS(on),max (SMD version): 8,1mOHM
Dissipazione: 79W
Contenitore: PG-TO263-3-2 SMD
Pinning:
Complementare:
Marking:
Articolo in sostituzione:
Produttore:
Applicazioni / Application:
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: IPB081N06-L3
Descrizione: Power-Transistor
Polarità: N-channel MOSFET
Tensione Drain-Source: 60V
Collector Corrente: 50A
RDS(on),max (SMD version): 8,1mOHM
Dissipazione: 79W
Contenitore: PG-TO263-3-2 SMD
Pinning:
Complementare:
Marking:
Articolo in sostituzione:
Produttore:
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Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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RoHS:
indirizzo del produttore
IN PREPARAZIONE
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indirizzo Responsabile EU
Comp.El. Componenti Elettronici
Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
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Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
Include una batteria tonda a bottone
Tenere fuori dalla portata dei bambini