TRANSISTOR IGBT N-CHANNEL THT
W30N60H3 N-CH IGBT 600V 30A 230W CON DIODO TO-247 ORIGINALE
W30N60H3 N-CH IGBT 600V 30A 230W CON DIODO TO-247 ORIGINALE
CODICE: W30N60H3
Prezzi Iva Inclusa
1 PZ
€ 6,8387
3 PZ
€ 6,2842
Scheda Tecnica
Articolo: BIDNW30N60H3
Descrizione: UInsulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Tensione: 600V
Corrente: 30A
Dissipazione: 240W
Contenitore: TO-247N-3
Marking: W30N60H3
Articolo similare:
Produttore: Bourns
Applicazioni / Application:
Switch-Mode Power Supplies (SMPS)
Uninterruptible Power Sources (UPS)
Power Factor Correction (PFC)
Induction heating
VCEs 600V
IC Max 60A
IC Pulsed 120A
WAT 240W
Vce/VGE 1,65V
I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
These informations are indicative only, for more precise information look in the data producer.
Articolo: BIDNW30N60H3
Descrizione: UInsulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Tensione: 600V
Corrente: 30A
Dissipazione: 240W
Contenitore: TO-247N-3
Marking: W30N60H3
Articolo similare:
Produttore: Bourns
Applicazioni / Application:
Switch-Mode Power Supplies (SMPS)
Uninterruptible Power Sources (UPS)
Power Factor Correction (PFC)
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VCEs 600V
IC Max 60A
IC Pulsed 120A
WAT 240W
Vce/VGE 1,65V
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K30T60 N-IGBT DIODE HIGH SPEED 600V 30A 187W TO-247 ORIGINALI
Prezzi Iva Inclusa1 PZ€ 4,56283 PZ€ 4,0260
indirizzo del produttore
IN PREPARAZIONE
IN PREPARAZIONE
indirizzo Responsabile EU
Comp.El. Componenti Elettronici
Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
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09121 CAGLIARI
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identificazione dei rischi