TRANSISTOR IGBT N-CHANNEL THT
RJP 63K2 N-IGBT 630V 35A 50W TO-220FL ORIGINAL
RJP 63K2 N-IGBT 630V 35A 50W TO-220FL ORIGINAL
CODICE: RJP63K2DPPM
Prezzi Iva Inclusa
1 PZ
€ 3,3550
3 PZ
€ 2,8182
Scheda Tecnica
Articolo: RJP63K2DPP-M0 R07DS0468EJD200
Descrizione: N Channel IGBT High Speed Power Switching
Insulated Gate BIP Transistors
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 630V
Corrente: 35A
Dissipazione: 60W
RDS:
Contenitore: PRSS003AF-A TO220FL
Marking: RJP63K2
Produttore:
Applicazioni / Application:Fast switching
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: RJP63K2DPP-M0 R07DS0468EJD200
Descrizione: N Channel IGBT High Speed Power Switching
Insulated Gate BIP Transistors
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 630V
Corrente: 35A
Dissipazione: 60W
RDS:
Contenitore: PRSS003AF-A TO220FL
Marking: RJP63K2
Produttore:
Applicazioni / Application:Fast switching
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Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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RoHS:
indirizzo del produttore
IN PREPARAZIONE
IN PREPARAZIONE
indirizzo Responsabile EU
Comp.El. Componenti Elettronici
Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
Comp.El. Componenti Elettronici
Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
Include una batteria tonda a bottone
Tenere fuori dalla portata dei bambini