TRANSISTOR IGBT N-CHANNEL THT
RJP 30E2 N-IGBT 360V 35A 50W TO-3P
RJP 30E2 N-IGBT 360V 35A 50W TO-3P
CODICE: RJP30E2
Prezzi Iva Inclusa
1 PZ
€ 7,9849
3 PZ
€ 6,1061
Scheda Tecnica
Articolo: RJP30E2DPK-M0
Descrizione: Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 360V
Corrente: 35A
Dissipazione:
RDS:
Contenitore: TO-3PSH
Pinning:
Articolo in sostituzione:
Tempo:
Marking: RJP30E2
Produttore:
Applicazioni / Application:Fast switching
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: RJP30E2DPK-M0
Descrizione: Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 360V
Corrente: 35A
Dissipazione:
RDS:
Contenitore: TO-3PSH
Pinning:
Articolo in sostituzione:
Tempo:
Marking: RJP30E2
Produttore:
Applicazioni / Application:Fast switching
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RoHS:
indirizzo del produttore
IN PREPARAZIONE
IN PREPARAZIONE
indirizzo Responsabile EU
Comp.El. Componenti Elettronici
Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
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Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
identificazione dei rischi
- Tenere fuori dalla portata dei bambini